Ученые НИТУ «МИСиС» впервые смогли создать самый тонкий в мире полупроводник с заданными свойствами. Над проектом трудились российские, японские, китайские, американские и австралийские разработчики, сообщают «Известия».
Новый материал создан на основе частично окисленного оксида бора. С появлением новинки станет возможным конструировать миниатюрные изделия электроники. Область применения миниатюрных микросхем достаточно широка. В первую очередь это оптоэлектроника, фотовольтаика и хранение энергии и данных. На основе подобных нанопроцессоров в будущем смогут сконструировать малогабаритные электронные гаджеты, микротелефоны, очки дополненной реальностью, а также кардиостимуляторы.
Пока речь идет о создании нового материала лишь в рамках эксперимента. Массовое промышленное производство изделий на основе данной технологии сейчас возможно лишь в теории — дальнейшая разработка требует дополнительных исследований и испытаний.